Продукція > TOSHIBA > SSM3J356R,LXHF(T
SSM3J356R,LXHF(T

SSM3J356R,LXHF(T TOSHIBA

4163398.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.36 грн
500+10.88 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J356R,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J356R,LXHF(T за ціною від 7.92 грн до 27.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J356R,LXHF(T SSM3J356R,LXHF(T Виробник : TOSHIBA 4163398.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.32 грн
40+20.71 грн
100+14.36 грн
500+10.88 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(T Виробник : Toshiba Transistoren mit Verlustleistung >=1W(andere als Fototransistoren) P-CHANNEL SMOS HIGH CUR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.