Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J356R,LXHF
SSM3J356R,LXHF

SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.01 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM3J356R,LXHF за ціною від 7.32 грн до 42.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.79 грн
13+24.25 грн
100+15.51 грн
500+11.00 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Виробник : Toshiba 3832424344463241323432423337373644373943343836373739363536313530.pdf MOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.71 грн
13+25.90 грн
100+14.36 грн
500+10.95 грн
1000+9.62 грн
3000+8.02 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.