SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.00 грн |
| 6000+ | 5.48 грн |
| 9000+ | 5.18 грн |
| 15000+ | 4.79 грн |
| 21000+ | 4.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J358R,LF за ціною від 4.99 грн до 26.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V |
на замовлення 29265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V |
на замовлення 272089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10; Qg, нКл = 38,5 @ 8 В; Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В; Ugs(th) = 1 В @ 1 мА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23F-3 |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SSM3J358R,LF Код товару: 168844
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |