
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 15.29 грн |
34+ | 9.15 грн |
100+ | 3.80 грн |
500+ | 3.36 грн |
1000+ | 3.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J35AFS,LF за ціною від 2.83 грн до 21.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 35046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |