SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.87 грн |
| 6000+ | 2.57 грн |
| 9000+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J35AFS,LF за ціною від 2.58 грн до 19.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V |
на замовлення 16999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V |
на замовлення 35046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3J35AFS,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R |
товар відсутній |