Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J35AFS,LF
SSM3J35AFS,LF

SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=56958&prodName=SSM3J35AFS
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.12 грн
6000+2.69 грн
9000+2.53 грн
15000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J35AFS,LF за ціною від 3.41 грн до 15.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J35AFS,LF SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56958&prodName=SSM3J35AFS Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
33+9.12 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF SSM3J35AFS,LF Toshiba FF7D0250DB99FC4ABAAB79A950D5600B824C758330C26887F8E9456BECF99584.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF docget.jsp?did=56958&prodName=SSM3J35AFS
SSM3J35AFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
33+9.12 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF FF7D0250DB99FC4ABAAB79A950D5600B824C758330C26887F8E9456BECF99584.pdf
SSM3J35AFS,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.