| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3013+ | 4.66 грн |
| 3031+ | 4.64 грн |
| 3555+ | 3.95 грн |
| 8000+ | 3.40 грн |
| 16000+ | 2.96 грн |
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Технічний опис SSM3J35AMFV,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.
Інші пропозиції SSM3J35AMFV,L3F(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SSM3J35AMFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J35AMFV,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)