Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J35AMFV,L3F
SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=56960&prodName=SSM3J35AMFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.97 грн
24000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: VESM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3J35AMFV,L3F за ціною від 1.87 грн до 19.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+7.47 грн
2249+6.29 грн
4022+3.52 грн
4066+3.36 грн
6000+2.32 грн
15000+2.17 грн
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56960&prodName=SSM3J35AMFV Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 275136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
31+10.08 грн
50+7.21 грн
100+5.88 грн
500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.60 грн
54+14.05 грн
100+7.27 грн
250+6.67 грн
500+5.39 грн
1000+3.01 грн
3000+2.98 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1894+7.47 грн
2249+6.29 грн
4022+3.52 грн
4066+3.36 грн
6000+2.32 грн
15000+2.17 грн
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F docget.jsp?did=56960&prodName=SSM3J35AMFV
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 275136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.44 грн
31+10.08 грн
50+7.21 грн
100+5.88 грн
500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.60 грн
54+14.05 грн
100+7.27 грн
250+6.67 грн
500+5.39 грн
1000+3.01 грн
3000+2.98 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.