Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J35AMFV,L3F
SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35AMFV.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.51 грн
16000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: VESM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3J35AMFV,L3F за ціною від 1.85 грн до 19.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+7.42 грн
2249+6.25 грн
4022+3.49 грн
4066+3.33 грн
6000+2.30 грн
15000+2.16 грн
30000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
35+8.60 грн
100+5.32 грн
500+3.64 грн
1000+3.21 грн
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.47 грн
54+13.96 грн
100+7.23 грн
250+6.62 грн
500+5.35 грн
1000+2.99 грн
3000+2.96 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Toshiba SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1894+7.42 грн
2249+6.25 грн
4022+3.49 грн
4066+3.33 грн
6000+2.30 грн
15000+2.16 грн
30000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
35+8.60 грн
100+5.32 грн
500+3.64 грн
1000+3.21 грн
2000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.47 грн
54+13.96 грн
100+7.23 грн
250+6.62 грн
500+5.35 грн
1000+2.99 грн
3000+2.96 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf
SSM3J35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.