SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 2.58 грн |
| 16000+ | 2.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: VESM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3J35AMFV,L3F за ціною від 1.90 грн до 17.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: VESM Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 27322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V |
на замовлення 59249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|