SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.24 грн |
| 27+ | 11.34 грн |
| 100+ | 7.03 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
| 2000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3J35CT,L3F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J35CT,L3F | Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V |
на замовлення 22460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J35CT,L3F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
MOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
на замовлення 22460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)