SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3C, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J35CTC,L3F за ціною від 2.42 грн до 18.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3CPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: CST3C Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V |
на замовлення 14449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-Signal MOSFET |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SSM3J35CTC,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R |
товару немає в наявності |

