SSM3J35CTC,L3F

SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=35712&prodName=SSM3J35CTC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3C, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J35CTC,L3F за ціною від 2.46 грн до 19.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35712&prodName=SSM3J35CTC Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 14449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.99 грн
28+11.28 грн
100+7.01 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
2000+3.79 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Виробник : Toshiba SSM3J35CTC_datasheet_en_20210201-1916475.pdf MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.12 грн
28+11.73 грн
100+4.78 грн
1000+3.73 грн
2500+3.31 грн
10000+2.60 грн
20000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.