Продукція > TOSHIBA > SSM3J35CTC,L3F
SSM3J35CTC,L3F

SSM3J35CTC,L3F Toshiba

ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+13.79 грн
80+9.47 грн
196+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J35CTC,L3F Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3C, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J35CTC,L3F за ціною від 4.04 грн до 20.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+14.22 грн
993+14.15 грн
997+14.10 грн
1001+13.54 грн
3000+12.49 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.27 грн
100+13.71 грн
250+12.64 грн
500+12.08 грн
1000+12.03 грн
3000+11.99 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35712&prodName=SSM3J35CTC Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.01 грн
25+11.93 грн
100+7.44 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba SSM3J35CTC_datasheet_en_20210201-1916475.pdf MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35CTC,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
989+14.22 грн
993+14.15 грн
997+14.10 грн
1001+13.54 грн
3000+12.49 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35CTC,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.27 грн
100+13.71 грн
250+12.64 грн
500+12.08 грн
1000+12.03 грн
3000+11.99 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F docget.jsp?did=35712&prodName=SSM3J35CTC
SSM3J35CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.01 грн
25+11.93 грн
100+7.44 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC_datasheet_en_20210201-1916475.pdf
SSM3J35CTC,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F ssm3j35ctc_datasheet_en_20210201.pdf
SSM3J35CTC,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.