SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.38 грн |
| 6000+ | 2.91 грн |
| 9000+ | 2.74 грн |
| 15000+ | 2.39 грн |
| 21000+ | 2.28 грн |
| 30000+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J36FS,LF за ціною від 3.35 грн до 25.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J36FS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
на замовлення 320020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SSM3J36FS,LF | Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
на замовлення 280306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SSM3J36FS,LF | Toshiba |
P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| SSM3J36FS,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 12365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SSM3J36FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 320020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.93 грн |
| 31+ | 9.78 грн |
| 100+ | 6.08 грн |
| 500+ | 4.18 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| SSM3J36FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET
MOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 280306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3J36FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
кількість в упаковці: 100 шт
P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 4.94 грн |
| SSM3J36FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 12365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.70 грн |
| 43+ | 17.44 грн |
| 44+ | 17.26 грн |
| 105+ | 6.90 грн |
| 250+ | 6.33 грн |
| 500+ | 5.83 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| 3000+ | 3.38 грн |
| 6000+ | 3.35 грн |



