
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.79 грн |
6000+ | 2.41 грн |
9000+ | 2.26 грн |
15000+ | 1.97 грн |
21000+ | 1.88 грн |
30000+ | 1.80 грн |
75000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J36FS,LF за ціною від 1.91 грн до 12.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3J36FS,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
на замовлення 434834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM3J36FS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 317338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSM3J36FS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SSM3J36FS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |