Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J36FS,LF
SSM3J36FS,LF

SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.19 грн
6000+ 1.95 грн
9000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J36FS,LF за ціною від 1.73 грн до 14.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J36FS,LF SSM3J36FS,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 462759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.93 грн
33+ 8.58 грн
100+ 4.19 грн
500+ 3.28 грн
1000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
SSM3J36FS,LF SSM3J36FS,LF Виробник : Toshiba SSM3J36FS_datasheet_en_20140301-1916217.pdf MOSFET Small Signal MOSFET
на замовлення 336932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.41 грн
32+ 9.55 грн
100+ 3.39 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 1.86 грн
9000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
SSM3J36FS,LF Виробник : Toshiba Mosfets_Prod_Guide.pdf P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 200