Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J371R,LF
SSM3J371R,LF

SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J371R_datasheet_en_20210528.pdf?did=59197&prodName=SSM3J371R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J371R,LF за ціною від 4.34 грн до 35.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J371R,LF SSM3J371R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R_datasheet_en_20210528.pdf?did=59197&prodName=SSM3J371R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.32 грн
100+10.25 грн
500+7.15 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LF SSM3J371R,LF Виробник : Toshiba SSM3J371R_datasheet_en_20240410-1528164.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
на замовлення 25366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
14+24.37 грн
100+8.75 грн
1000+6.47 грн
3000+5.22 грн
9000+4.41 грн
24000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.