Продукція > TOSHIBA > SSM3J371R,LXHF(T
SSM3J371R,LXHF(T

SSM3J371R,LXHF(T TOSHIBA



Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.28 грн
500+8.54 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J371R,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J371R,LXHF(T за ціною від 7.04 грн до 31.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J371R,LXHF(T SSM3J371R,LXHF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.15 грн
43+19.20 грн
100+12.28 грн
500+8.54 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.