SSM3J372R,LF

SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.92 грн
6000+4.39 грн
9000+3.61 грн
15000+3.32 грн
21000+3.25 грн
30000+3.15 грн
75000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): +12V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3J372R,LF за ціною від 3.53 грн до 25.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J372R,LF SSM3J372R,LF Виробник : Toshiba SSM3J372R_datasheet_en_20220629-1528145.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A
на замовлення 143200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.69 грн
23+15.31 грн
100+6.18 грн
1000+5.52 грн
3000+4.27 грн
9000+3.60 грн
24000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF SSM3J372R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 94169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
21+15.02 грн
100+9.46 грн
500+6.59 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF
Код товару: 178119
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=59199&prodName=SSM3J372R Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF SSM3J372R,LF Виробник : Toshiba ssm3j372r_datasheet_en_20220629.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF SSM3J372R,LF Виробник : Toshiba ssm3j372r_datasheet_en_20220629.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF Виробник : Toshiba ssm3j372r_datasheet_en_20220629.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.