SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.47 грн
6000+4.76 грн
9000+4.50 грн
15000+3.95 грн
21000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3J374R,LF за ціною від 5.90 грн до 36.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J374R,LF SSM3J374R,LF Toshiba ssm3j374r_datasheet_en_20210528.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+17.31 грн
821+17.13 грн
1235+11.38 грн
1619+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
20+15.20 грн
100+9.54 грн
500+6.64 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF SSM3J374R,LF Toshiba ssm3j374r_datasheet_en_20210528.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.27 грн
29+25.99 грн
30+25.75 грн
100+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF SSM3J374R,LF Toshiba SSM3J374R_datasheet_en_20210528-1528143.pdf MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF ssm3j374r_datasheet_en_20210528.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
812+17.31 грн
821+17.13 грн
1235+11.38 грн
1619+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF docget.jsp?did=59187&prodName=SSM3J374R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
20+15.20 грн
100+9.54 грн
500+6.64 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF ssm3j374r_datasheet_en_20210528.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.27 грн
29+25.99 грн
30+25.75 грн
100+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF SSM3J374R_datasheet_en_20210528-1528143.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.