SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.47 грн |
| 6000+ | 4.76 грн |
| 9000+ | 4.50 грн |
| 15000+ | 3.95 грн |
| 21000+ | 3.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3J374R,LF за ціною від 5.90 грн до 36.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J374R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J374R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 24003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J374R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J374R,LF | Toshiba |
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A |
на замовлення 29781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 812+ | 17.31 грн |
| 821+ | 17.13 грн |
| 1235+ | 11.38 грн |
| 1619+ | 8.37 грн |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.40 грн |
| 20+ | 15.20 грн |
| 100+ | 9.54 грн |
| 500+ | 6.64 грн |
| 1000+ | 5.90 грн |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.27 грн |
| 29+ | 25.99 грн |
| 30+ | 25.75 грн |
| 100+ | 9.93 грн |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




