SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.63 грн |
| 6000+ | 4.89 грн |
| 9000+ | 4.63 грн |
| 15000+ | 4.06 грн |
| 21000+ | 3.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3J374R,LF за ціною від 5.13 грн до 34.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J374R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +10V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 24003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J374R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A |
на замовлення 29781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|