SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.52 грн |
| 6000+ | 4.80 грн |
| 9000+ | 4.54 грн |
| 15000+ | 3.98 грн |
| 21000+ | 3.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3J374R,LF за ціною від 5.95 грн до 36.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J374R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J374R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V |
на замовлення 24003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J374R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3J374R,LF | Toshiba |
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A |
на замовлення 29781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 812+ | 17.46 грн |
| 821+ | 17.28 грн |
| 1235+ | 11.48 грн |
| 1619+ | 8.45 грн |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.63 грн |
| 20+ | 15.33 грн |
| 100+ | 9.63 грн |
| 500+ | 6.70 грн |
| 1000+ | 5.95 грн |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.60 грн |
| 29+ | 26.22 грн |
| 30+ | 25.98 грн |
| 100+ | 10.02 грн |
| SSM3J374R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




