
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.77 грн |
6000+ | 6.07 грн |
9000+ | 5.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: S-Mini, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SSM3J375F,LXHF за ціною від 5.65 грн до 34.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3J375F,LXHF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3J375F,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3J375F,LXHF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 3966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SSM3J375F,LXHF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
SSM3J375F,LXHF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |