на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 675+ | 18.01 грн |
| 678+ | 17.91 грн |
| 834+ | 14.57 грн |
| 1000+ | 13.18 грн |
| 2000+ | 12.11 грн |
| 3000+ | 11.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J378R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J378R,LF(T за ціною від 4.86 грн до 20.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J378R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3J378R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A |
товару немає в наявності |