| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 730+ | 19.26 грн |
| 885+ | 15.88 грн |
| 1065+ | 13.20 грн |
| 1280+ | 10.58 грн |
| 1522+ | 8.25 грн |
| 1885+ | 6.39 грн |
| 2184+ | 5.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J56ACT,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.
Інші пропозиції SSM3J56ACT,L3F(T за ціною від 5.52 грн до 25.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J56ACT,L3F(T | Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R |
на замовлення 6875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J56ACT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm |
на замовлення 11125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SSM3J56ACT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm |
на замовлення 11125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J56ACT,L3F(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.40 грн |
| 39+ | 19.26 грн |
| 48+ | 15.88 грн |
| 57+ | 12.73 грн |
| 100+ | 9.80 грн |
| 250+ | 7.92 грн |
| 500+ | 6.39 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
| SSM3J56ACT,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J56ACT,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)