Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J56ACT,L3F
SSM3J56ACT,L3F

SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J56ACT,L3F за ціною від 3.98 грн до 31.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1406+8.83 грн
1420+8.74 грн
1432+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 1406
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Виробник : Toshiba 606369A28471289A6CD7822F30ADF9172210DECEB5446ECCCD520ED112C2FDF1.pdf MOSFETs Nch MOSFET
на замовлення 12491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.72 грн
31+11.71 грн
100+6.35 грн
500+5.43 грн
1000+4.98 грн
10000+4.44 грн
20000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.38 грн
38+18.67 грн
39+18.53 грн
100+9.12 грн
250+8.36 грн
500+7.96 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT_datasheet_en_20221125.pdf?did=30735&prodName=SSM3J56ACT Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 33552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.47 грн
18+18.66 грн
100+11.78 грн
500+8.23 грн
1000+7.32 грн
2000+6.55 грн
5000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F SSM3J56ACT,L3F Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.