Продукція > TOSHIBA > SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFV,L3F(T

SSM3J56MFV,L3F(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.31 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.13 грн
1000+4.81 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J56MFV,L3F(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.31 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J56MFV,L3F(T за ціною від 4.40 грн до 25.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : TOSHIBA 3622424.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.31 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.58 грн
84+9.90 грн
250+7.58 грн
1000+4.87 грн
4000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : Toshiba 6ct_195962.pdf Hoses Hydraulic/Pneumatic Flexible Black 150psi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : Toshiba 6ct_195962.pdf Hoses Hydraulic/Pneumatic Flexible Black 150psi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.