Продукція > TOSHIBA > SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFV,L3F(T

SSM3J56MFV,L3F(T TOSHIBA

3622424.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.61 грн
250+24.23 грн
1000+14.84 грн
4000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J56MFV,L3F(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J56MFV,L3F(T за ціною від 4.85 грн до 84.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : TOSHIBA 3622424.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.26 грн
50+51.61 грн
250+24.23 грн
1000+14.84 грн
4000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 20V; 800mA; 150mW; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: 8V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : Toshiba 6ct_195962.pdf Hoses Hydraulic/Pneumatic Flexible Black 150psi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFV,L3F(T Виробник : Toshiba 6ct_195962.pdf Hoses Hydraulic/Pneumatic Flexible Black 150psi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.