SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 5.11 грн |
16000+ | 4.25 грн |
24000+ | 4.17 грн |
56000+ | 3.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J56MFV,L3F за ціною від 3.2 грн до 31.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM3J56MFV,L3F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 17012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SSM3J56MFV,L3F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 17012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SSM3J56MFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 428012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SSM3J56MFV,L3F | Виробник : Toshiba | MOSFET Small Signal MOSFET |
на замовлення 48649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SSM3J56MFV,L3F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
SSM3J56MFV,L3F | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R |
товар відсутній |