SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.36 грн
16000+4.72 грн
24000+4.49 грн
40000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J56MFV,L3F за ціною від 4.12 грн до 37.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Toshiba 852docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1309+10.73 грн
1323+10.62 грн
1337+10.51 грн
2200+6.16 грн
3000+5.64 грн
6000+4.49 грн
15000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 1309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 43954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.25 грн
18+16.97 грн
100+10.67 грн
500+7.45 грн
1000+6.63 грн
2000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Toshiba 852docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.00 грн
29+25.88 грн
30+25.63 грн
100+10.35 грн
250+9.48 грн
500+9.01 грн
1000+5.48 грн
3000+5.42 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F 852docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1309+10.73 грн
1323+10.62 грн
1337+10.51 грн
2200+6.16 грн
3000+5.64 грн
6000+4.49 грн
15000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 1309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 43954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.25 грн
18+16.97 грн
100+10.67 грн
500+7.45 грн
1000+6.63 грн
2000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F 852docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.00 грн
29+25.88 грн
30+25.63 грн
100+10.35 грн
250+9.48 грн
500+9.01 грн
1000+5.48 грн
3000+5.42 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.