| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1309+ | 10.83 грн |
| 1323+ | 10.72 грн |
| 1337+ | 10.60 грн |
| 2200+ | 6.21 грн |
| 3000+ | 5.70 грн |
| 6000+ | 4.53 грн |
| 15000+ | 4.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J56MFV,L3F Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J56MFV,L3F за ціною від 4.53 грн до 37.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 7344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 17012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5800 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J56MFV,L3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 7344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.51 грн |
| 18+ | 17.13 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 7.52 грн |
| 1000+ | 6.69 грн |
| 2000+ | 5.98 грн |
| SSM3J56MFV,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 37.33 грн |
| 29+ | 26.11 грн |
| 30+ | 25.86 грн |
| 100+ | 10.44 грн |
| 250+ | 9.57 грн |
| 500+ | 9.09 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
| 3000+ | 5.47 грн |
| 6000+ | 4.53 грн |
| SSM3J56MFV,L3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)