SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.48 грн |
| 18+ | 16.97 грн |
| 100+ | 10.69 грн |
| 500+ | 7.48 грн |
| 1000+ | 6.65 грн |
| 2000+ | 5.95 грн |
| 5000+ | 5.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: CST3C, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J64CTC,L3F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J64CTC,L3F | Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A |
на замовлення 12581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3J64CTC,L3F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A
на замовлення 12581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)