Продукція > TOSHIBA > SSM3J66MFV,L3F(T
SSM3J66MFV,L3F(T

SSM3J66MFV,L3F(T TOSHIBA



Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.22 грн
108+7.61 грн
500+5.24 грн
1000+3.85 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J66MFV,L3F(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J66MFV,L3F(T за ціною від 3.03 грн до 19.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J66MFV,L3F(T SSM3J66MFV,L3F(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.77 грн
68+12.22 грн
108+7.61 грн
500+5.24 грн
1000+3.85 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.