Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J66MFV,L3F
SSM3J66MFV,L3F

SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J66MFV_datasheet_en_20210928.pdf?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 10535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.66 грн
22+14.40 грн
100+9.05 грн
500+6.29 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J66MFV,L3F за ціною від 3.12 грн до 26.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J66MFV,L3F SSM3J66MFV,L3F Виробник : Toshiba SSM3J66MFV_datasheet_en_20210928-1627357.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
на замовлення 15112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.33 грн
22+15.99 грн
100+7.45 грн
500+6.31 грн
1000+5.17 грн
2500+5.01 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F SSM3J66MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV_datasheet_en_20210928.pdf?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.