Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J66MFV,L3XHF
SSM3J66MFV,L3XHF

SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM3J66MFV,L3XHF за ціною від 4.75 грн до 33.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61143&prodName=SSM3J66MFV Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.49 грн
22+14.54 грн
100+9.11 грн
500+6.33 грн
1000+5.61 грн
2000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF SSM3J66MFV,L3XHF Виробник : Toshiba SSM3J66MFV_datasheet_en_20180410-1627357.pdf MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
на замовлення 11918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.10 грн
15+23.95 грн
100+11.85 грн
500+7.85 грн
1000+5.36 грн
2500+5.28 грн
5000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.