Продукція > TOSHIBA > SSM3K09FU,LF(T
SSM3K09FU,LF(T

SSM3K09FU,LF(T Toshiba

12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2095+6.71 грн
2500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K09FU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K09FU,LF(T за ціною від 14.80 грн до 33.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K09FU,LF(T SSM3K09FU,LF(T Toshiba 12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.06 грн
873+16.11 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(T SSM3K09FU,LF(T TOSHIBA 3622425.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(T SSM3K09FU,LF(T TOSHIBA 3622425.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(T 12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf
SSM3K09FU,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
425+33.06 грн
873+16.11 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(T 3622425.pdf
SSM3K09FU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(T 3622425.pdf
SSM3K09FU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.