Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K09FU,LF
SSM3K09FU,LF

SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19599&prodName=SSM3K09FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.50 грн
6000+4.80 грн
9000+4.54 грн
15000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Supplier Device Package: USM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3K09FU,LF за ціною від 7.15 грн до 30.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K09FU,LF SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K09FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19599&prodName=SSM3K09FU Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.79 грн
17+18.16 грн
100+11.47 грн
500+8.03 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF SSM3K09FU,LF Toshiba 7D01739B53BDD915E370F79AB20297B8B32485670F457E18F481E32B348D1D66.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF SSM3K09FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19599&prodName=SSM3K09FU
SSM3K09FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.79 грн
17+18.16 грн
100+11.47 грн
500+8.03 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF 7D01739B53BDD915E370F79AB20297B8B32485670F457E18F481E32B348D1D66.pdf
SSM3K09FU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.