Продукція > TOSHIBA > SSM3K116TU,LF(T
SSM3K116TU,LF(T

SSM3K116TU,LF(T Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 18 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K116TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції SSM3K116TU,LF(T за ціною від 23.51 грн до 55.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T Toshiba 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+55.00 грн
529+26.84 грн
577+24.57 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T TOSHIBA 4249027.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TU,LF(T TOSHIBA 4249027.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K116TU,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+55.00 грн
529+26.84 грн
577+24.57 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T 4249027.pdf
SSM3K116TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T docget.pdf
SSM3K116TU,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(T 4249027.pdf
SSM3K116TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.