Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K116TU,LF
SSM3K116TU,LF

SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.13 грн
6000+9.35 грн
9000+8.42 грн
30000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: UFM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3K116TU,LF за ціною від 9.43 грн до 37.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.23 грн
55+13.76 грн
56+13.49 грн
100+11.60 грн
250+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.72 грн
11+28.09 грн
100+16.84 грн
500+14.63 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba 3946463045364434323646353831443246394346373834413044343131343946.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+20.23 грн
55+13.76 грн
56+13.49 грн
100+11.60 грн
250+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.72 грн
11+28.09 грн
100+16.84 грн
500+14.63 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF 3946463045364434323646353831443246394346373834413044343131343946.pdf
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.