SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.85 грн |
| 6000+ | 10.01 грн |
| 9000+ | 9.01 грн |
| 30000+ | 8.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K116TU,LF за ціною від 8.30 грн до 40.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K116TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching |
на замовлення 3070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V |
на замовлення 39100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R |
товару немає в наявності |

