SSM3K116TU,LF

SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.51 грн
6000+ 8.78 грн
9000+ 7.9 грн
30000+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K116TU,LF за ціною від 9.21 грн до 39.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.39 грн
11+ 26.36 грн
100+ 15.8 грн
500+ 13.73 грн
1000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K116TU_datasheet_en_20140301-1760699.pdf MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 7384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.57 грн
10+ 31.32 грн
100+ 18.56 грн
500+ 13.95 грн
1000+ 10.48 грн
3000+ 9.61 грн
6000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 8