SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.11 грн |
| 9000+ | 10.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K116TU,LF за ціною від 9.52 грн до 48.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K116TU,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V |
на замовлення 16285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching |
на замовлення 4632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SSM3K116TU,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K116TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 20.41 грн |
| 55+ | 13.88 грн |
| 56+ | 13.61 грн |
| 100+ | 11.70 грн |
| 250+ | 9.52 грн |
| SSM3K116TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 16285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.93 грн |
| 11+ | 29.39 грн |
| 50+ | 21.43 грн |
| 100+ | 17.70 грн |
| 500+ | 13.44 грн |
| SSM3K116TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3K116TU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




