Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K123TU,LF
SSM3K123TU,LF

SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.02 грн
6000+8.11 грн
9000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K123TU,LF за ціною від 8.27 грн до 40.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
815+17.33 грн
1245+11.34 грн
1252+11.28 грн
1349+10.09 грн
1462+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.86 грн
43+17.68 грн
44+17.33 грн
100+10.93 грн
250+10.07 грн
500+8.97 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.98 грн
12+24.87 грн
100+16.00 грн
500+11.71 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
815+17.33 грн
1245+11.34 грн
1252+11.28 грн
1349+10.09 грн
1462+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+22.86 грн
43+17.68 грн
44+17.33 грн
100+10.93 грн
250+10.07 грн
500+8.97 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K123TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.98 грн
12+24.87 грн
100+16.00 грн
500+11.71 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.