Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K123TU,LF
SSM3K123TU,LF

SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.57 грн
6000+8.60 грн
9000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K123TU,LF за ціною від 7.05 грн до 43.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
815+14.91 грн
1245+9.75 грн
1252+9.71 грн
1349+8.68 грн
1462+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 815
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+21.08 грн
43+16.30 грн
44+15.98 грн
100+10.08 грн
250+9.28 грн
500+8.27 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K123TU_datasheet_en_20140301-1916161.pdf MOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.43 грн
14+25.19 грн
100+14.70 грн
500+11.22 грн
1000+9.10 грн
3000+7.20 грн
6000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.46 грн
12+26.37 грн
100+16.97 грн
500+12.42 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.