Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K123TU,LF
SSM3K123TU,LF

SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K123TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=10012&prodName=SSM3K123TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.3 грн
11+ 27.4 грн
100+ 18.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K123TU,LF за ціною від 8.92 грн до 35.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K123TU_datasheet_en_20140301-1916161.pdf MOSFET UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
на замовлення 23609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.82 грн
11+ 28.41 грн
100+ 16.85 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 9.52 грн
3000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=10012&prodName=SSM3K123TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
товар відсутній