Продукція > TOSHIBA > SSM3K127TU,LF(T
SSM3K127TU,LF(T

SSM3K127TU,LF(T Toshiba

58docget.jsppidssm3k127tulangentypedatasheet.jsppidssm3k127tulangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
474+29.69 грн
904+15.55 грн
1000+14.42 грн
2000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K127TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K127TU,LF(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K127TU,LF(T SSM3K127TU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(T SSM3K127TU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(T
SSM3K127TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(T
SSM3K127TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.