Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K127TU,LF
SSM3K127TU,LF

SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
15+20.83 грн
100+13.42 грн
500+9.45 грн
1000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K127TU,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K127TU,LF SSM3K127TU,LF Toshiba SSM3K127TU_datasheet_en_20140301-1627329.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm a. 4V, in UFM package
на замовлення 17520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF SSM3K127TU_datasheet_en_20140301-1627329.pdf
SSM3K127TU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm a. 4V, in UFM package
на замовлення 17520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU
SSM3K127TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1750 шт
В кошику  од. на суму  грн.