Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K131TU,LF
SSM3K131TU,LF

SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K131TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=12385&prodName=SSM3K131TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.74 грн
6000+10.73 грн
9000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K131TU,LF за ціною від 9.93 грн до 43.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=12385&prodName=SSM3K131TU Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 13724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.74 грн
100+19.92 грн
500+14.60 грн
1000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K131TU_datasheet_en_20140301-1627343.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm a. 4.5V, in UFM package
на замовлення 12395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.09 грн
12+29.36 грн
100+17.36 грн
500+13.61 грн
1000+12.36 грн
3000+10.74 грн
6000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.