Продукція > TOSHIBA > SSM3K15ACT,L3F
SSM3K15ACT,L3F

SSM3K15ACT,L3F Toshiba

267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5227+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 5227
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K15ACT,L3F Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K15ACT,L3F за ціною від 2.60 грн до 22.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3413+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3413
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 8425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.65 грн
27+12.51 грн
100+7.79 грн
500+5.37 грн
1000+4.74 грн
2000+4.22 грн
5000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 14A7CB91805120B7A75EC0FE89D9994BA96ECBF4C8EC2A90C7B906EC1C8F09B0.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET
на замовлення 19182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.66 грн
30+12.61 грн
100+6.96 грн
500+5.20 грн
1000+4.00 грн
2500+3.76 грн
5000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+22.07 грн
54+13.48 грн
55+13.33 грн
100+11.63 грн
250+9.62 грн
500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.