Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K15ACT,L3F
SSM3K15ACT,L3F

SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K15ACT,L3F за ціною від 2.45 грн до 23.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 34100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.5 грн
19+ 14.56 грн
100+ 7.08 грн
500+ 5.54 грн
1000+ 3.85 грн
2000+ 3.34 грн
5000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301-1144185.pdf MOSFET Small-signal MOSFET
на замовлення 10285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.04 грн
19+ 16.08 грн
100+ 5.7 грн
1000+ 3.45 грн
2500+ 3.18 грн
10000+ 2.58 грн
20000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM3K15ACT,L3F Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k15act.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
товар відсутній