на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 1.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15AFS,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm.
Інші пропозиції SSM3K15AFS,LF(T за ціною від 1.71 грн до 21.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm |
на замовлення 20950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 8765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 104315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm |
на замовлення 20950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC75 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Case: SC75 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |