Продукція > TOSHIBA > SSM3K15AFS,LF(T
SSM3K15AFS,LF(T

SSM3K15AFS,LF(T Toshiba


18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+10.95 грн
1505+8.21 грн
2000+6.90 грн
3000+6.18 грн
6000+4.47 грн
12000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K15AFS,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K15AFS,LF(T за ціною від 4.47 грн до 36.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Виробник : Toshiba 18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1128+10.95 грн
1505+8.21 грн
2000+6.90 грн
3000+6.18 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 1128
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622427.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.10 грн
500+9.52 грн
1500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622427.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.92 грн
50+22.39 грн
100+14.10 грн
500+9.52 грн
1500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Виробник : Toshiba 18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB84BF03AED38BF&compId=SSM3K15AFS.pdf?ci_sign=4cf2148939eda462d90fe118342302a7c93ad284 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.1W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.