на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 1.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15AFS,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K15AFS,LF(T за ціною від 1.79 грн до 13.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 8765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 104315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 2.3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SSM3K15AFS,LF(T | Виробник : TOSHIBA | SSM3K15AFS SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |