Продукція > TOSHIBA > SSM3K15AFS,LF(T

SSM3K15AFS,LF(T Toshiba


docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 126 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K15AFS,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm.

Інші пропозиції SSM3K15AFS,LF(T за ціною від 4.20 грн до 12.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2352+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 2352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Toshiba 18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.57 грн
1505+9.42 грн
2000+7.92 грн
3000+7.10 грн
6000+5.13 грн
12000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T Toshiba 18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.57 грн
1505+9.42 грн
2000+7.92 грн
3000+7.10 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T TOSHIBA 3622427.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T SSM3K15AFS,LF(T TOSHIBA 3622427.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2352+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 2352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T 18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1128+12.57 грн
1505+9.42 грн
2000+7.92 грн
3000+7.10 грн
6000+5.13 грн
12000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T 18ssm3k15afs_en_datasheet_101129.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1128+12.57 грн
1505+9.42 грн
2000+7.92 грн
3000+7.10 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T 3622427.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(T 3622427.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.