SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.52 грн |
| 6000+ | 2.36 грн |
| 9000+ | 1.87 грн |
| 15000+ | 1.74 грн |
| 21000+ | 1.73 грн |
| 30000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K15AFS,LF за ціною від 2.21 грн до 16.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K15AFS,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SSMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V |
на замовлення 31411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K15AFS,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS |
на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM3K15AFS,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
SSM3K15AFS,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
SSM3K15AFS,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |

