| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21000+ | 2.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
21000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15AFU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm.
Інші пропозиції SSM3K15AFU,LF(T за ціною від 2.35 грн до 21.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 94082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 93530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 93530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm |
на замовлення 23602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm |
на замовлення 23602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SSM3K15AFU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 630 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.05 грн |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.06 грн |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 94082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2159+ | 6.55 грн |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 150mW; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 10.12 грн |
| 140+ | 3.09 грн |
| 155+ | 2.77 грн |
| 500+ | 2.44 грн |
| 3000+ | 2.35 грн |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 93530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 21.91 грн |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 93530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 646+ | 21.91 грн |
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 23602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 23602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K15AFU,LF(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





