SSM3K15AMFV,L3F(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 18.54 грн |
| 105+ | 7.85 грн |
| 250+ | 6.13 грн |
| 1000+ | 3.82 грн |
| 4000+ | 2.99 грн |
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Технічний опис SSM3K15AMFV,L3F(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K15AMFV,L3F(T за ціною від 2.99 грн до 18.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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SSM3K15AMFV,L3F(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 35633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SSM3K15AMFV,L3F(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM Substitute: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T; SSM3K15AMFV,L3F(T TSSM3k15amfv кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
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