Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K16CT,L3F
SSM3K16CT,L3F

SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K16CT,L3F за ціною від 2.35 грн до 23.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 35350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
21+14.79 грн
100+7.23 грн
500+5.66 грн
1000+3.93 грн
2000+3.41 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba SSM3K16CT_datasheet_en_20140301-1316087.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 71355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.95 грн
22+15.40 грн
100+5.74 грн
1000+3.46 грн
2500+2.80 грн
10000+2.43 грн
20000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba 23docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k16ct.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.