| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 18.04 грн |
| 68+ | 11.14 грн |
| 69+ | 11.03 грн |
| 100+ | 7.41 грн |
| 250+ | 6.85 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 3.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16CT,L3F Toshiba
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K16CT,L3F за ціною від 3.02 грн до 18.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K16CT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V |
на замовлення 6059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3K16CT,L3F | Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V |
на замовлення 3732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SSM3K16CT,L3F | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K16CT,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 18.24 грн |
| 29+ | 10.61 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 4.02 грн |
| 2000+ | 3.56 грн |
| 5000+ | 3.02 грн |
| SSM3K16CT,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3K16CT,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





