Продукція > TOSHIBA > SSM3K16CT,L3F
SSM3K16CT,L3F

SSM3K16CT,L3F Toshiba

SSM3K16CT_datasheet_en_20140301-1316087.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.89 грн
39+8.28 грн
100+5.26 грн
500+4.15 грн
1000+3.18 грн
5000+2.98 грн
10000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K16CT,L3F Toshiba

Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K16CT,L3F за ціною від 2.97 грн до 17.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba 23docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k16ct.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+17.72 грн
68+10.94 грн
69+10.84 грн
100+7.28 грн
250+6.73 грн
500+5.08 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5960&prodName=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.91 грн
29+10.42 грн
100+6.49 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba 23docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k16ct.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba 23docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k16ct.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba docget.jsp?did=5960&prodName=SSM3K16CT MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V SOT-883-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5960&prodName=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.