на замовлення 20298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2565+ | 4.75 грн |
| 2919+ | 4.17 грн |
| 3025+ | 4.02 грн |
| 3172+ | 3.70 грн |
| 12000+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16FU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K16FU,LF(T за ціною від 2.56 грн до 19.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K16FU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 32820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3K16FU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 32820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SSM3K16FU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
товару немає в наявності |