SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.52 грн |
| 6000+ | 3.14 грн |
| 9000+ | 2.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Supplier Device Package: USM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V.
Інші пропозиції SSM3K16FU,LF за ціною від 2.04 грн до 20.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K16FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching |
на замовлення 32564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K16FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: USM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V |
на замовлення 29064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|