Продукція > TOSHIBA > SSM3K16FV,L3F(T
SSM3K16FV,L3F(T

SSM3K16FV,L3F(T TOSHIBA

4008605.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.45 грн
1000+3.08 грн
4000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K16FV,L3F(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K16FV,L3F(T за ціною від 2.43 грн до 16.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K16FV,L3F(T SSM3K16FV,L3F(T Виробник : TOSHIBA 4008605.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K16FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.19 грн
73+11.76 грн
250+7.45 грн
1000+3.08 грн
4000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F(T Виробник : Toshiba 51docget.jsppidssm3k16fvlangentypedatasheet.jsppidssm3k16fvlangenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.