
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 14.32 грн |
38+ | 8.12 грн |
100+ | 5.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K16FV,L3F за ціною від 1.91 грн до 17.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3K16FV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3K16FV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |