на замовлення 21029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 14.41 грн |
| 40+ | 8.80 грн |
| 100+ | 4.78 грн |
| 500+ | 3.49 грн |
| 1000+ | 2.73 грн |
| 5000+ | 2.12 грн |
| 8000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16FV,L3F Toshiba
Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K16FV,L3F за ціною від 5.16 грн до 14.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K16FV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTORPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SSM3K16FV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin VESM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
SSM3K16FV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |