| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.37 грн |
| 40+ | 8.17 грн |
| 100+ | 4.43 грн |
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 2.53 грн |
| 5000+ | 1.97 грн |
| 8000+ | 1.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16FV,L3F Toshiba
Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Supplier Device Package: VESM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3K16FV,L3F за ціною від 4.97 грн до 14.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K16FV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTORTechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Supplier Device Package: VESM Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|