Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K16FV,L3F
SSM3K16FV,L3F

SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=591&prodName=SSM3K16FV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K16FV,L3F за ціною від 3.58 грн до 14.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K16FV,L3F SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=591&prodName=SSM3K16FV Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 12535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.45 грн
50+6.03 грн
100+4.91 грн
500+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F SSM3K16FV,L3F Toshiba 119FD5A51DCAE14D00834635F8A1056CBAC51DB66A52B8816F437FD15C101B53.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F docget.jsp?did=591&prodName=SSM3K16FV
SSM3K16FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 12535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.76 грн
36+8.45 грн
50+6.03 грн
100+4.91 грн
500+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FV,L3F 119FD5A51DCAE14D00834635F8A1056CBAC51DB66A52B8816F437FD15C101B53.pdf
SSM3K16FV,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.