SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=19617&prodName=SSM3K17FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.81 грн
6000+3.29 грн
9000+3.10 грн
15000+2.70 грн
21000+2.58 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA, Supplier Device Package: USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K17FU,LF за ціною від 2.39 грн до 18.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K17FU,LF SSM3K17FU,LF Toshiba SSM3K17FU_datasheet_en_20140301-1316004.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
на замовлення 12854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.38 грн
30+11.00 грн
100+5.98 грн
500+4.43 грн
1000+3.87 грн
3000+2.81 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19617&prodName=SSM3K17FU Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.99 грн
28+10.97 грн
100+6.80 грн
500+4.69 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF SSM3K17FU_datasheet_en_20140301-1316004.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
на замовлення 12854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.38 грн
30+11.00 грн
100+5.98 грн
500+4.43 грн
1000+3.87 грн
3000+2.81 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K17FU,LF docget.jsp?did=19617&prodName=SSM3K17FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 90743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.99 грн
28+10.97 грн
100+6.80 грн
500+4.69 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.