SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.71 грн |
| 6000+ | 10.32 грн |
| 9000+ | 9.84 грн |
| 15000+ | 8.72 грн |
| 21000+ | 8.41 грн |
| 30000+ | 8.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SSM3K2615R,LF за ціною від 12.37 грн до 50.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K2615R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 40674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SSM3K2615R,LF | Toshiba |
MOSFETs Small-Signal MOSFET |
на замовлення 42552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SSM3K2615R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| SSM3K2615R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SSM3K2615R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.03 грн |
| 10+ | 29.95 грн |
| 100+ | 19.29 грн |
| 500+ | 13.77 грн |
| 1000+ | 12.37 грн |
| SSM3K2615R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-Signal MOSFET
MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 42552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3K2615R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.38 грн |
| SSM3K2615R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.33 грн |
| 19+ | 41.28 грн |
| 25+ | 40.87 грн |
| 100+ | 27.48 грн |
| 250+ | 25.19 грн |
| 500+ | 21.23 грн |
| 1000+ | 15.79 грн |
| 3000+ | 13.89 грн |
| 6000+ | 13.59 грн |


