Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K2615R,LF
SSM3K2615R,LF

SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15672&prodName=SSM3K2615R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.82 грн
6000+10.42 грн
9000+9.93 грн
15000+8.80 грн
21000+8.49 грн
30000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM3K2615R,LF за ціною від 10.09 грн до 51.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Виробник : Toshiba EF0DE37794392A9B1E50E00F1C94A3E94F3EF29214EF22C2711836FE9B6E28F8.pdf MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 26996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.76 грн
13+29.00 грн
100+16.97 грн
500+14.89 грн
1000+13.05 грн
3000+11.05 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15672&prodName=SSM3K2615R Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.95 грн
11+31.27 грн
100+20.08 грн
500+14.33 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Виробник : Toshiba 2docget.jspdid15672prodnamessm3k2615r.jspdid15672prodnamessm3k2615.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.