Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K2615R,LF
SSM3K2615R,LF

SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.88 грн
6000+ 9.03 грн
9000+ 8.39 грн
30000+ 7.69 грн
75000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K2615R,LF за ціною від 8.1 грн до 29.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Виробник : Toshiba SSM3K2615R_datasheet_en_20150130-1760553.pdf MOSFET Small-Signal MOSFET
на замовлення 187286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.83 грн
13+ 23.83 грн
100+ 14.95 грн
500+ 10.63 грн
1000+ 9.57 грн
3000+ 8.7 грн
9000+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 87579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
12+ 24.15 грн
100+ 16.78 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Виробник : Toshiba 2docget.jspdid15672prodnamessm3k2615r.jspdid15672prodnamessm3k2615.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній