SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=52903&prodName=SSM3K2615TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.37 грн
6000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K2615TU,LF за ціною від 10.24 грн до 42.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K2615TU,LF SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=52903&prodName=SSM3K2615TU Description: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 7415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
12+25.13 грн
100+16.08 грн
500+11.42 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF SSM3K2615TU,LF Toshiba FE23878C2E749FB66C201D3246FADC7E3041CF867F14DE2D3B70D48D8AC8174B.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF Toshiba docget.jsp?did=52903&prodName=SSM3K2615TU Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.27 грн
25+30.14 грн
26+29.32 грн
100+22.93 грн
250+19.82 грн
500+17.47 грн
1000+15.11 грн
3000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF docget.jsp?did=52903&prodName=SSM3K2615TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 7415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
12+25.13 грн
100+16.08 грн
500+11.42 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF FE23878C2E749FB66C201D3246FADC7E3041CF867F14DE2D3B70D48D8AC8174B.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615TU,LF docget.jsp?did=52903&prodName=SSM3K2615TU
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.27 грн
25+30.14 грн
26+29.32 грн
100+22.93 грн
250+19.82 грн
500+17.47 грн
1000+15.11 грн
3000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.