Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K318R,LF
SSM3K318R,LF

SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SSM3K318R,LF за ціною від 5.55 грн до 29.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
497+23.46 грн
866+ 13.46 грн
899+ 12.96 грн
906+ 12.39 грн
1671+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 497
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
на замовлення 8621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.3 грн
14+ 20.34 грн
100+ 12.2 грн
500+ 10.6 грн
1000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.31 грн
27+ 21.79 грн
100+ 12.05 грн
250+ 10.75 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba SSM3K318R_datasheet_en_20160823-1916422.pdf MOSFET Small Signal Mosfet
на замовлення 83841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.53 грн
14+ 21.92 грн
100+ 10.56 грн
1000+ 6.58 грн
3000+ 6.11 грн
9000+ 5.78 грн
24000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній