Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K318R,LF
SSM3K318R,LF

SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.38 грн
6000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3K318R,LF за ціною від 7.21 грн до 37.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+28.31 грн
866+16.24 грн
899+15.64 грн
906+14.96 грн
1671+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.79 грн
27+28.31 грн
100+15.66 грн
250+13.97 грн
500+13.29 грн
1000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.72 грн
14+22.16 грн
100+14.11 грн
500+9.97 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Toshiba E402C61508042EFE1FF60DA5C0BC2C48B9D673F5CD349C299C17BE7A3CD47362.pdf MOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf
SSM3K318R,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
497+28.31 грн
866+16.24 грн
899+15.64 грн
906+14.96 грн
1671+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf
SSM3K318R,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.79 грн
27+28.31 грн
100+15.66 грн
250+13.97 грн
500+13.29 грн
1000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R
SSM3K318R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.72 грн
14+22.16 грн
100+14.11 грн
500+9.97 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF E402C61508042EFE1FF60DA5C0BC2C48B9D673F5CD349C299C17BE7A3CD47362.pdf
SSM3K318R,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.