Продукція > TOSHIBA > SSM3K324R,LF(T
SSM3K324R,LF(T

SSM3K324R,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.89 грн
1000+5.01 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K324R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K324R,LF(T за ціною від 3.74 грн до 22.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K324R,LF(T SSM3K324R,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1328+9.17 грн
1542+7.90 грн
1627+7.48 грн
2000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1328
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T SSM3K324R,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.48 грн
59+14.16 грн
121+6.83 грн
500+5.89 грн
1000+5.01 грн
5000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T
+1
SSM3K324R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3K324R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF(T
+1
SSM3K324R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3K324R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.