Продукція > TOSHIBA > SSM3K329R,LF(T
SSM3K329R,LF(T

SSM3K329R,LF(T TOSHIBA


3622431.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 6620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.6 грн
500+ 7.4 грн
1000+ 5.44 грн
5000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K329R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm.

Інші пропозиції SSM3K329R,LF(T за ціною від 4.84 грн до 33.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K329R,LF(T SSM3K329R,LF(T Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
619+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 619
SSM3K329R,LF(T SSM3K329R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622431.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.06 грн
35+ 22.68 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.4 грн
1000+ 5.44 грн
5000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
SSM3K329R,LF(T SSM3K329R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k329r_datasheet_en_20211022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній