Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K329R,LF
SSM3K329R,LF

SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.03 грн
6000+ 5.68 грн
9000+ 5.03 грн
30000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K329R,LF за ціною від 4.07 грн до 28.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 36382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
15+ 18.64 грн
100+ 9.4 грн
500+ 7.82 грн
1000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Виробник : Toshiba SSM3K329R_datasheet_en_20211022-1150400.pdf MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS
на замовлення 92811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
16+ 19.96 грн
100+ 7.94 грн
1000+ 6.21 грн
3000+ 5.47 грн
9000+ 4.87 грн
45000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній