Продукція > TOSHIBA > SSM3K329R,LF
SSM3K329R,LF

SSM3K329R,LF Toshiba

SSM3K329R_datasheet_en_20211022-1150400.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS
на замовлення 92811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.52 грн
16+21.03 грн
100+8.37 грн
1000+6.54 грн
3000+5.77 грн
9000+5.13 грн
45000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K329R,LF Toshiba

Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Part Status: Active, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta).

Інші пропозиції SSM3K329R,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.