SSM3K333R,LF

SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.88 грн
6000+6.01 грн
9000+5.69 грн
15000+5.01 грн
21000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K333R,LF за ціною від 4.59 грн до 32.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Виробник : Toshiba ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1003+12.38 грн
1566+7.92 грн
1578+7.87 грн
2095+5.71 грн
2122+5.22 грн
3000+4.95 грн
6000+4.88 грн
15000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 1003
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Виробник : Toshiba 3644363231393046324537364435383533324442323534303341423446363530.pdf MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
на замовлення 79772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.52 грн
30+11.88 грн
100+6.81 грн
500+6.28 грн
1000+6.05 грн
3000+4.82 грн
6000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Виробник : Toshiba ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+21.84 грн
53+13.40 грн
54+13.27 грн
100+8.19 грн
250+7.52 грн
500+5.44 грн
1000+5.37 грн
3000+5.30 грн
6000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 25633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.29 грн
17+19.22 грн
100+12.14 грн
500+8.52 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Виробник : Toshiba ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.