Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K333R,LF
SSM3K333R,LF

SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.58 грн
9000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K333R,LF за ціною від 5.51 грн до 34.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.15 грн
1566+9.05 грн
1578+8.99 грн
2095+6.52 грн
2122+5.97 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
15000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.28 грн
53+14.29 грн
54+14.15 грн
100+8.73 грн
250+8.02 грн
500+5.80 грн
1000+5.73 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 32338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.34 грн
50+14.75 грн
100+12.12 грн
500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF SSM3K333R,LF Toshiba 3644363231393046324537364435383533324442323534303341423446363530.pdf MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
на замовлення 56649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1003+14.15 грн
1566+9.05 грн
1578+8.99 грн
2095+6.52 грн
2122+5.97 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
15000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF ssm3k333r_datasheet_en_20211022.pdf
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.28 грн
53+14.29 грн
54+14.15 грн
100+8.73 грн
250+8.02 грн
500+5.80 грн
1000+5.73 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF docget.jsp?did=6736&prodName=SSM3K333R
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 15 V
на замовлення 32338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.95 грн
15+20.34 грн
50+14.75 грн
100+12.12 грн
500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF 3644363231393046324537364435383533324442323534303341423446363530.pdf
SSM3K333R,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS
на замовлення 56649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.