Продукція > TOSHIBA > SSM3K335R,LF(T
SSM3K335R,LF(T

SSM3K335R,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.26 грн
500+10.44 грн
1000+8.51 грн
5000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K335R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K335R,LF(T за ціною від 6.96 грн до 32.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K335R,LF(T SSM3K335R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.98 грн
39+21.33 грн
100+15.26 грн
500+10.44 грн
1000+8.51 грн
5000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T
SSM3K335R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.98 грн
39+21.33 грн
100+15.26 грн
500+10.44 грн
1000+8.51 грн
5000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.